CISSOID şi DDC cooperează pentru SiC IPM mai compact şi sigur în funcţionare

3 NOIEMBRIE 2016

News_EA0916_CIS091_CISSOID-DDCCISSOID, lider în soluţii de semiconductoare pentru temperaturi înalte şi durată de viaţă extinsă, anunţă cooperarea cu Data Device Corporation (DDC), lider în proiectarea şi fabricarea produse de control putere şi control mişcare, magistrale de date de înaltă siguranţă pentru aplicaţii aerospaţiale, apărare şi in­dus­triale, precum şi cu Beta Transformer Technology Corporation (BTTC), lider în dezvoltarea de componente magnetice de înaltă perfor­manţă pentru domeniile mili­tar, spaţial şi comercial, pentru dezvoltarea de module de putere inteligente Silicon Carbide (SiC) MOSFET IPM (Intelligent Power Modules) mai compacte şi mai sigure, pentru convertoare de putere şi control motoare în domeniul aerospaţial. În cadrul acestui parteneriat, BTTC va dezvolta module de transformatoare pentru înaltă temperatură şi siguranţă în funcţionare, integrând atât transformatoare de putere, cât şi în pulsuri, optimizate pentru driverul poartă izolată CISSOID HADES2®. Soluţia se va adresa pentru aplicaţii cu densitate mare de putere (vedeţi imaginea), dar şi pentru IPM în capsule etanşe ermetic pentru medii dure, cum ar fi de exemplu locaţii ne-presurizate şi/sau temperaturi extreme. Primele module de transformatoare au fost dezvoltate, validate şi calificate pentru domenii de temperatură de la -55°C până la +225°C. Transformatoarele oferă o izolare de 2500Vdc şi sunt opti­mizate pentru capacităţi parazite foarte reduse pentru a suporta dV/dt ridicate, tipic de până la 50KV/µs, similar cu tranzistoarele SiC cu comutaţie rapidă.

Cissoid  www.cissoid.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *