Noua tehnologie de comutaţie RF reduce consumul de putere în telefoanele mobile şi în terminalele portabile
STMicroelectronics a prezentat detalii privind tehnologia care utilizează sistemele MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) şi tehnicile de integrare de mare performanţă a comutatoarelor de
radio-frecvenţă (RF) în circuitele fabricate în tehnologia CMOS standard. Noile comutatoare RF promit o îmbunătăţire a performanţelor telefoanelor mobile şi a terminalelor portabile similare unde este cerută o comutaţie RF eficientă pentru minimizarea consumurilor de putere şi în acelaşi timp extinderea duratei de viaţă a bateriei.
Pentru a permite terminalelor portabile o adaptare completă în mediul lor prin comutarea de la un standard la altul sau controlul eficient al puterii de transmisie, producătorii de echipamente cresc cererea de chipuri RF mai flexibile cu mai multe capabilităţi de comutaţie on-chip. Dispozitivele semiconductoare sunt larg folosite pe post de comutatoare RF în aplicaţiile portabile, dar, în
principiu, sunt mai puţin atractive decât comutatoarele construite în tehnologia MEMS care oferă o
performanţă mai bună a izolaţiei, pierderilor/atenuărilor de inserţie şi o liniaritate mai bună. Totuşi, deşi rezultatele comutatoarelor RF-MEMS au condus la realizarea multor aplicaţii în domeniul aeronauticii şi telecomunicaţiilor, fezabilitatea lor pentru pieţele de volum mare precum cea a telefoanelor mobile depinde de abilitatea de integrare a lor în componente SoC (System-on-Chip) ieftine.
Soluţia microswitch-urilor “Above IC” dezvoltată de ST împreună cu partenera sa pentru proiecte de cercetare pe termen lung CEA-LETI, îndeplineşte patru criterii de mare importanţă: înaltă siguranţă în funcţionare, consum mic de putere, alimentare la tensiune mică şi compatibilitate cu tehnicile de fabricaţie SoC. Pentru a demonstra integrarea noilor comutatoare RF-MEMS în proiecte SoC,
prototipurile au fost fabricate utilizând tehnologia industrială BiCMOS pentru circuitele driver folosite pentru comanda termică şi blocarea electrostatică. Comutatoarele actuale MEMS sunt fabricate
deasupra chipului, adică după ce au fost îndeplinite toate etapele procesului tehnologic CMOS
standard şi nu necesită tehnici speciale de fixare.
În urma succesului repurtat cu aceste prototipuri, ST şi CEA-LETI lucrează acum pentru optimizarea funcţiilor electrostatice, dezvoltarea unei plăci de siliciu corespunzătoare şi reducerea costurilor prin micşorarea numărului de măşti.
Noua tehnologie RF-MEMS a fost dezvoltată de ST în fabrica ei de la Crolles, lângă Grenoble, Franţa. Fabrica a fost pusă în funcţiune în anul 1992, având facilităţi R&D, producţie pilot şi de masă, toate lucrând la maximum de eficienţă. La fabrica Crolles1 există echipe formate între departamentul R&D al France Telecom şi CEA-LETI, care lucrează în tehnologii avansate pentru a pregăti viitoarele
platforme CMOS. Din 1992 la echipa de cercetători ai ST s-au alăturat spacialişti de la Philips Semiconductors şi Motorola. Mai mult, ST, Motorola şi Philips au format de curând un nou
department R&D numit “Crolles 2 Alliance” pentru a putea dezvolta generaţiile viitoare de tehnologii CMOS de la 90nm la 32nm noduri. TSMC este partener la Crolles2 Alliance, în efortul de a realiza o aliniere a regulilor de proiectare a proceselor digitale interne. N
Mai multe informaţii:
www.st.com
www.stmcu.com
www.vitacom.ro
st@vitacom.ro