Renesas lansează semiconductori de putere de ultimă generație pentru arhitectura centrelor de date AI la 800 VDC
Renesas Electronics Corporation anunță sprijinul său pentru conversia și distribuția eficientă a energiei în cadrul noii arhitecturi de alimentare de 800 VDC, prezentată de NVIDIA, contribuind la dezvoltarea unei noi generații de infrastructuri AI mai inteligente și mai rapide.
Pe măsură ce sarcinile de lucru bazate pe GPU devin tot mai complexe, iar consumul energetic al centrelor de date atinge valori de ordinul sutelor de megawați, este esențial ca aceste centre să adopte arhitecturi de putere optimizate energetic și scalabile. Semiconductorii cu bandă interzisă largă – precum tranzistoarele GaN FET – se impun rapid ca soluție cheie datorită vitezei de comutare superioare, pierderilor de energie mai reduse și performanței termice îmbunătățite.În plus, dispozitivele de putere GaN vor facilita dezvoltarea magistralelor de curent continuu de 800 V la nivel de rack, reducând semnificativ pierderile de distribuție și eliminând necesitatea barelor colectoare masive (large bus bars), permițând în același timp reutilizarea componentelor existente de 48 V prin convertoare DC/DC de reducere a tensiunii.
Soluțiile de alimentare bazate pe tehnologia GaN de la Renesas sunt deosebit de potrivite pentru această sarcină, susținând conversia eficientă și compactă a curentului continuu DC/DC, cu tensiuni de operare între 48 V și 400 V, având opțiunea de a fi stivuite până la 800 V. Bazate pe topologia LLC Direct Current Transformer (LLC DCX), aceste convertoare ating o eficiență de până la 98%. Pentru etajul front-end AC/DC, Renesas utilizează tranzistoare GaN bidirecționale, care simplifică proiectarea redresoarelor și cresc densitatea de putere.
MOSFET-urile, driverele și controlerele Renesas REXFET completează lista de componente (BOM) a noilor convertoare DC/DC. Pentru mai multe detalii, vizitați: renesas.com/power.
Renesas a publicat, de asemenea, un document tehnic în care analizează topologia dispozitivelor sale ce permit distribuția de energie la 800 V în infrastructura AI.
Renesas Electronics Corporation
Glosar de termeni
GaN (Gallium Nitride) – Material semiconductor cu bandă interzisă largă, utilizat pentru tranzistoare de mare viteză și eficiență.
LLC DCX (Direct Current Transformer) – Topologie de convertor DC/DC de înaltă eficiență, bazată pe comutație rezonantă.
BOM (Bill of Materials) – Lista completă de componente utilizate într-un proiect electronic.
REXFET – Familie Renesas de MOSFET-uri optimizate pentru conversie de putere.
Front-end AC/DC – Etaj de conversie inițial care transformă curentul alternativ în curent continuu.
Tranzistor GaN bidirecțional – Dispozitiv de comutație care poate conduce curentul în ambele direcții, ideal pentru redresoare și invertoare eficiente.
800 VDC – Nivel de tensiune utilizat în arhitecturi moderne de alimentare pentru centre de date AI.
Redresor – Circuit care convertește curentul alternativ (AC) în curent continuu (DC).