Agilent Technologies Inc. a anunţat realizarea unui tranzistor FET (tranzistor cu efect de câmp) E-pHEMT cu înaltă liniaritate destinat pentru funcţionare cu zgomot redus şi într-un domeniu dinamic larg din aplicaţiile de infrastructură fără fir sensibile la cost care funcţionează între 450MHz şi 6GHz.
La 3V, 30mA şi 2GHz, tranzistorul Agilent, ATF-58143, se caracterizează prin zgomot de 0,5dB cu amplificare asociată de +16,5dB, combinată cu punct de interceptare a ieşirii de ordin trei (OIP3) de +30,5dBm şi putere de ieşire liniară de +16,5dBm (1dB comprimare a amplificării). El este ideal pentru primul şi al doilea stadiu al LNA-urilor (low-noise amplifiers) front-end din staţiile de bază celulare / PCS /WCDMA, bucle locale fără fir, acces fix fără fir şi alte aplicaţii de înaltă performanţă care funcţionează între 450MHz şi 6GHz. ATF-58143 furnizează înaltă liniaritate de 30,5dBm OIP3 la consum de putere mic, de numai 30mA la 3V, care reduce generarea de căldură în echipamentele compacte de astăzi. Funcţionarea de la o singură alimentare elimină, de asemenea, necesitatea utilizării unui circuit invertor de tensiune sau alimentări duble de tensiune.
Agilent rămâne singurul furnizor din industrie de dispozitive E-pHEMT care se caracterizează prin funcţionare de la o singură alimentare, ceea ce simplifică foarte mult designul alimentării cu tensiune. Alimentarea singulară de 3V face ca acest nou tranzistor FET E-pHEMT de la Agilent să fie alegerea logică pentru înlocuirea dispozitivelor mono-tensiune HBT (heterojunction bipolar transistor), a celor PHEMT convenţionale dublă-tensiune şi GaAs HFET (heterostructure FET).
Tranzistorul FET E-pHEMT, ATF-58143, este realizat în capsula miniaturală SOT-343 de 2,0 x 2,1mm. Tranzistorul ATF-58143 produs de Agilent este disponibil imediat prin canalele directe de vânzare ale Agilent şi prin partenerii de distribuţie din lume.
Informaţii suplimentare despre produsele semiconductoare de RF ale Agilent sunt disponibile la: www.agilent.com/view/rf