Infineon Technologies a anunţat apariţia BGA622, un amplificator de zgomot redus (LNA, Low Noise Amplifier) integrat proiectat special pentru o liniaritate foarte bună şi cerinţele de sensibilitate ale generaţiei actuale şi viitoare de aplicaţii mobile incluzând GSM, GPS, UMTS şi Wireless LAN. Bazat pe tehnologia de proces bipolar de la Infineon B7HF Silicon-Germanium (SiGe), circuitul integrat Monolithic Micro wave oferă un zgomot foarte redus şi un câştig mare pentru aplicaţii performante în comunicaţiile mobile.
Amplificatorul oferă un câştig de 15 dB şi un zgomot foarte redus de 1,1 dB la 2,1 GHz, un record pentru SiGe în producţie de serie. BGA622 beneficiază de performanţe înaltă a tehnologiei de proces B7HF SiGe, care permite frecvenţe de tranziţie de până la 75 GHz. Noul LNA oferă intrări/ieşiri împerecheate şi nu necesită componente externe. Un curent mic de alimentare şi o caracteristică on/off integrată permite un consum mic de putere şi un timp mare de standby pentru telefoanele 3G. Producţia de masă va începe în noiembrie 2001.
www.infineon.com