Munich, 16 februarie 2001
Infineon Technologies, lider mondial în domeniul cipset-urilor pentru aplicaţii de comun icaţii fără fir, a lansat un nou modul de amplificator de putere triplă bandă.
În acest moment, majoritatea mobilelor care se găsesc pe piaţa românească, chiar cele ieftine, sunt Dual Band, dar este evidentă trecerea la sistemul cu TREI benzi de frecvenţe: telefoanele celulare noi trebuie să poată lucra cu reţelele mobile în benzile de 900, 1800 şi 1900 MHz. Astfel, noul modul amplificator va permite utilizatorilor finali să recepţioneze semnalul în toată lumea, făcând rooming între reţelele de telefonie mobilă GSM, PCN şi PCS.
Modulul amplificator de putere triplă bandă CGM20GTriB permite firmei Infineon să-şi extindă poziţia pe piaţă şi să se reafirme ca lider mondial în domeniul semiconductoarelor de putere pentru piaţa de telecomunicaţii. Amplificatorul este realizat în tehnologie hibridă, pe substrat de ceramică, cu multiple straturi groase arse simultan la temperatură joasă (LTCC ). În acest domeniu de frecvenţe, tehnologia straturilor grose este preferabilă, asigurând o putere mai mare şi un cost redus faţă de tehnica depunerilor de straturi subţiri.
Modulele amplificatoare de putere cu tranzistoare cu arseniură de galiu (GaAs) joacă un rol important pe piaţa telecomunicaţiilor mobile, aflată într-o puternică creştere. De aceea, firma Infineon Technologies şi-a extins capacităţile de producţie pe Ga As din Regensburg, pentru a face faţă cererii sporite.
Modulul LTCC de bandă triplă se bazează pe tehnologia de radiofrecvenţă MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor) cu GaAs a firmei Infineon, şi va asigura o fiabilitate ridicată.
Amplificatorul de putere de la Infineon are o capsulă ceramică cu pad-uri de contact (LCCC) acoperită de un capac metalic ce asigură o excelentă ecranare de radiofrecvenţă. Aceasta contribuie la scăderea costurilor pentru producătorii de telefoane mobile, deoarece nu mai este necesară o ecranare metalică exterioară, în telefonul propriu-zis.
În capsula ceramică ce are o amprentă de 10×12 mm2 sunt incluse şi alte funcţii, cum ar fi un generator de tensiuni negative (NVG) cu oscilator integrat, un comutator de drenă şi un integrat monolitic pentru control.
Puterea de ieşire pentru lucrul în reţelele GSM şi PCN poate fi reglată din exterior folosind o tensiune de control pozitivă (Vapc) în gama cuprinsă între +0.2V şi +2.5V, astfel încât pentru operarea modulului amplificator de la Infineon sunt necesare doar tensiuni de control pozitive.
Puterea maximă de ieşire, de 34.5dBm pentru reţeaua GSM şi respectiv 32.0dBm pentru PCN/PCS, măsurată la o tensiune de alimentare de 3.2V, se obţine pentru o putere de intrare minimă de numai 3dBm. Nivelul acesta scăzut al puterii de intrare necesare oferă clienţilor posibilitatea de a folosi în aplicaţiile lor fie oscilatoare ieftine comandate în tensiune (OCT sau VCO) fie etaje driver, în funcţie de arhitectura de emiţător aleasă.
Pentru a garanta utilizatorilor randamente ridicate în producţia de serie mare a telefoanelor mobile, toate contactele electrice ale modulului în capsula LCCC sunt vizibile pentru inspecţia optică, după lipire. Se pot astfel depista imediat eventualele defecte de lipire.
Amplificatorul de putere CGM20GTriB se bazează pe CGM20G, un modul amplificator de putere “dual band” pentru GSM/PCN cu capacităţi GPRS de clasa 12. În ceea ce priveşte viteza, modulul CGM20G acceptă debite maxime de date de circa 57.6 Kbit/sec pe conexiunea up-link, ceea ce reprezintă de patru ori mai mult decât viteza de transmisie a telefoanelor GSM standard, care oferă numai 14.4 kbit/s. Acest debit de date este considerabil mai mare decât cel al modemurilor analogice obişnuite şi creează perspective optime pentru tehnologia WAP (deci amplificatorul a fost proiectat pentru a satisface nu numai cerinţele actuale de transmisii de voce, fax, SMS, ci şi cele viitoare, pentru volume mari de informaţii digitale).
Familia de module amplificatoare de putere CGM20GtriB şi CGM20G completează soluţiile Infineon pentru sisteme wireless dual-band pentru telefonia mobilă GSM, şi în plus, reprezintă şi primul membru al unei noi familii de module amplificatoare de putere, pentru noua generaţie de comunicatoare portabile.
Disponibilitate
Infineon oferă toate cele trei tehnologii de dispozitive cu GaAs de înaltă frecvenţă, respectiv MESFET, pe care se bazează amplificatorul de putere descris, PHEMT (tranzistor pseudomorphic cu mobilitate ridicată a electronilor High Electron Mobility Transistor) şi chiar InGaP-HBT (tranzistor bipolar heterojoncţiune cu indiu-galiu-fosfor). Acest din urmă material semiconductor, InGaP, oferă perspective de lucru la frecvenţe şi mai înalte decât GaAs. Dispozitivele şi modulele bazate pe aceste tehnologii sunt produse la fabrica din Munich, în noua secţie de plachete cu diametrul de 6 inch. Acolo se produc în serie noile amplificatoare de putere model CGM20GTriB.
www.infineon.com
Infineon Technologies anunţă o platformă de proiectare pentru implementarea rapidă, fiabilă a telefoanelor mobile GSM/GPRS care au capacitatea Bluetooth
Cannes, 20 februarie 2001
Infineon Technologies anunţă, de această dată din Franţa, o platformă de dezvoltare a sistemelor, puternic integrată, ce include cipset-urile necesare şi software-ul de sistem aferent (firmware), pentru produsele de telefonie mobilă GSM/GPRS cu conectivitate Bluetooth. Împreună cu firmele afiliate, Danish Wireless Design (DWD) şi Comneon, compania Infineon oferă noul System Platform 2001, o platformă de proiectare completă pentru telefoanele celulare GSM cu dublă sau triplă bandă de frecvenţe, ce dispun de funcţionalităţi GPRS (General Packet Radio Service) şi Bluetooth.
System Platform 2001 asigură fabricanţilor de telefoane mobile şi alte echipamente portabile de comunicaţii un sistem de soluţii complete pentru punerea la punct rapidă şi fiabilă a următoarei generaţii de telefoane GSM. In condiţiile unei concurenţe puternice, firma care lansează prima pe piaţă noile produse are întotdeauna de câştigat.
Respectivele module pot fi folosite pentru telefoanele conforme standardelor GSM curente, dar ele suportă de asemenea transmisia de date orientată pe pachete prin intermediul sistemului GPRS, şi astfel asigură tranziţia spre următoarea generaţie de telefoane celulare, cu capacităţi multimedia.
www.infineon.com