Texas Instruments Incorporated (TI) a introdus un driver low-side gate pentru utilizarea cu tranzistoare MOSFET şi FET Gallium-Nitride (GaN) de putere folosite în convertoare cu densitate de putere ridicată. Noile drivere low-side gate – LM5114 (GaN FET şi MOSFET) au aplicaţii cum ar fi: redresoare sincrone şi convertoare cu factorul de putere corectat. Împreună cu LM5113, primul driver 100-V half-bridge GaN FET anunţat în 2011, familia oferă un driver pentru sistem, complet izolat, de conversie DC/DC, fiind o soluție de driver pentru GaN FET-uri şi MOSFET-uri de mare putere utilizate în aplicaţii de telecomunicaţi cu înaltă performanţă, reţele şi centre de date. Pentru mai multe informaţii, probe şi o placă de evaluare, vizitaţi www.ti.com/gan-pr
Circuitul LM5114 comandă atât tranzistoare MOSFET standard cât şi FET-uri GaN prin utilizarea de ieșiri independente de tipul: absoarbe (sink) sau injectează (source) curent la o sursă de alimentare 5V. Acesta dispune de o mare capabilitate de curent, 7.6A (vârf la comutare turn-off) necesar în aplicaţii de mare-putere în care sunt folosite FET-uri în paralel. Puterea crescută la închidere (pull-down), îi permite, de asemenea, să comande FET-uri GaN în mod corespunzător. De asemenea, ieșirile independente pentru două tipuri de comandă elimină necesitatea unei diode în driver şi permite un control strict al timpilor de creştere şi cădere (rise and fall times).
Texas Instruments
www.ti.com