Mouser explorează provocările alimentării infrastructurii AI într-un nou eBook interactiv realizat împreună cu Renesas

by gabi
Mouser explorează provocările alimentării infrastructurii AI

Mouser explorează provocările alimentării infrastructurii AI într-un nou eBook interactiv realizat împreună cu Renesas

Mouser Electronics anunță lansarea unui nou eBook interactiv, realizat în colaborare cu Renesas Electronics, care analizează modul în care centrele de date evoluează pentru a răspunde cerințelor energetice tot mai ridicate ale infrastructurii AI.

Cerințe energetice tot mai mari pentru AI generativă în centrele de date

Dezvoltarea aplicațiilor de inteligență artificială generativă (GenAI) determină o creștere semnificativă a consumului de energie în centrele de date. Costurile operaționale ale acestor centre sunt deja puternic influențate de cheltuielile cu energia electrică, iar această creștere accentuează importanța eficienței energetice și a soluțiilor avansate de gestionare a energiei.

În “Powering AI: High-Density Power Distribution in Modern Data Centers”, experți din industria AI abordează teme precum tranziția către distribuția energiei la tensiuni mai ridicate și rolul tehnologiilor digitale de alimentare în îmbunătățirea eficienței energetice.

Materialele video incluse demonstrează modul în care răcirea cu lichid permite creșterea densității serverelor, iar utilizarea tranzistoarelor cu efect de câmp pe bază de nitrură de galiu (GaN) și a MOSFET-urilor de înaltă eficiență în circuitele de alimentare contribuie la proiectarea unor sisteme mai compacte și mai ușoare. eBook-ul include și o infografică interactivă care ilustrează fluxul energiei într-un centru de date tipic.

Renesas are o experiență extinsă în domeniul gestionării energiei și oferă un portofoliu larg de produse și soluții, dintre care multe sunt prezentate în acest eBook.

Soluții Renesas de gestionare a energiei pentru infrastructura AI de înaltă densitate

Tranzistoarele MOSFET de putere Renesas REXFET-1 au un design ultracompact, fără plumb, optimizat pentru performanțe termice, management termic și fiabilitate îmbunătățite. Procesul de fabricație REXFET-1 permite reducerea rezistenței în conducție cu până la 30% și a sarcinii de poartă (Qg) cu până la 10%, contribuind la creșterea eficienței.

Modulul ISL99390FRZ SPS (Smart Power Stage) oferă o precizie ridicată a detectării curentului în funcție de linie, sarcină și temperatură. În combinație cu un controler PWM digital Renesas, aceste dispozitive permit gestionarea precisă a energiei la nivel de sistem și un răspuns tranzitoriu optim pentru regulatoarele bazate pe linia de sarcină. Integrarea lor simplifică proiectarea prin eliminarea rețelelor convenționale de detectare a rezistenței DC (DCR) și a componentelor asociate de compensare termică.

Controlerul PWM pe 12 faze ISL68239 utilizează o schemă proprietară de modulare bazată pe estimarea internă a curentului pentru a optimiza combinația dintre răspunsul tranzitoriu, ușurința reglajului și eficiența pe întreaga gamă de sarcini. Dezvoltatorii pot utiliza software-ul Renesas PowerNavigator™ pentru configurarea și monitorizarea dispozitivului.

FET-ul SuperGaN® TP65H015G5WS combină un HEMT GaN de înaltă tensiune cu un MOSFET de siliciu de joasă tensiune, oferind performanță și fiabilitate ridicate. Dispozitivul utilizează tehnologii avansate de epitaxie (epi) și concepte de proiectare brevetate pentru a simplifica fabricația, reducând în același timp sarcina de poartă, capacitatea de ieșire, pierderile de comutație și sarcina de recuperare inversă, comparativ cu soluțiile pe bază de siliciu.

Mouser Electronics

S-ar putea să vă placă și

Adaugă un comentariu