Nexperia anunță disponibilitatea în prezent a MOSFET-urilor sale de carbură de siliciu (SiC) de 1200V, modele de vârf în industria de profil, în capsulă SMD (Surface Mount Device) D2PAK-7, cu o gamă de valori ale RDSon de 30, 40, 60 și 80 mΩ. Anunțul vine în urma lansării de către Nexperia, la sfârșitul anului 2023, a două MOSFET-uri SiC discrete în capsule TO-247 cu 3 și 4 pini, fiind cea mai recentă ofertă dintr-o serie în care portofoliul său de MOSFET-uri SiC se va extinde rapid pentru a include dispozitive cu valori ale RDSon de 17, 30, 40, 40, 60 și 80 mΩ în opțiuni flexibile de încapsulare.
Odată cu lansarea dispozitivelor NSF0xx120D7A0, Nexperia se adresează cererii tot mai mari de pe piață pentru switch-uri SiC de înaltă performanță în capsule SMD, cum este D2PAK-7, care devine din ce în ce mai populară în diverse aplicații industriale, inclusiv pentru încărcarea vehiculelor electrice (EV) (încărcare de pile electrice, încărcare offboard), surse de alimentare neîntreruptibile (UPS) și invertoare pentru sisteme solare și de stocare a energiei (ESS – Energy Storage Systems). Este, de asemenea, o nouă mărturie a parteneriatului strategic de succes dintre Nexperia și Mitsubishi Electric Corporation (MELCO), în cadrul căruia cele două companii și-au unit forțele pentru a împinge eficiența energetică și performanța electrică a semiconductorilor SiC cu bandă largă interzisă la un nivel superior, asigurând, în plus, capacitatea de producție viitoare pentru această tehnologie ca răspuns la cererea tot mai mare a pieței.
RDSon este un parametru de performanță esențial pentru MOSFET-urile SiC, deoarece are un impact asupra pierderilor de putere de conducție. Totuși, mulți producători se concentrează asupra valorii nominale, neglijând faptul că aceasta poate crește cu peste 100% pe măsură ce temperaturile de operare ale dispozitivului cresc, ceea ce duce la pierderi de conducție considerabile. Nexperia a identificat acest lucru ca fiind un factor limitativ în performanța multor dispozitive SiC disponibile în prezent și a valorificat caracteristicile tehnologiei sale inovatoare de procesare pentru a se asigura că noile sale MOSFET-uri SiC oferă o stabilitate la temperatură de top în industrie, valoarea nominală a RDSon crescând cu numai 38% pe o gamă de temperaturi de operare de la 25°C la 175°C.
Specificația celei mai stricte tensiuni de prag, VGS(th), permite acestor MOSFET-uri discrete să ofere performanțe echilibrate de transport al curentului atunci când sunt conectate în paralel. În plus, tensiunea directă scăzută a diodei parazite (body diode) – VSD – este un parametru care sporește robustețea și eficiența dispozitivului, relaxând totodată cerința de timp mort în timpul operării în regim de “freewheeling” (n.red.: Freewheeling ajută la menținerea unei funcționări netede și eficiente a circuitului, asigurând că energia stocată în componentele inductive este eliberată în mod controlat și sigur. De asemenea, ajută la reducerea pierderilor de energie și îmbunătățește eficiența generală a circuitului).
Pentru a afla mai multe despre MOSFET-urile SiC de la Nexperia, vizitați: https://www.nexperia.com/sic-mosfets