SANTA CLARA, CALIFORNIA – 7 Aprilie, 2004 – Comutatoarele de 12V şi circuitele de comandă ale motoarelor electrice care intră în componenţa diferitelor echipamente de la bordul autoturismelor reprezintă aplicaţiile ţintă pentru familia de dispozitive MOSFET canal-p anunţată de Siliconix Incorporated, o subsidiară în proporţie de 80.4% a companiei Vishay Intertechnology, Inc.
Noile circuite de -40V şi -60V sunt primele care oferă aceste nivele de tensiuni de străpungere construite pe baza tehnologiei avansate canal-p utilizate de Vishay, tehnologie ce reduce rezistenţa on la nivele record. Nivelul maxim al rezisteţei on rDS(on) pleacă de la 15mW şi coboară până la 4.2mW pentru şase din dispozitivele recent lansate.
Deoarece dispozitivele MOSFET canal-p nu necesită circuite de comandă adiţionale de pornire, noile circuite TrenchFET de -40V şi -60V vor ajuta proiectanţii să reducă numărul de componente şi să mărească fiabilitatea sistemelor industriale şi a celor folosite la autoturisme faţă de soluţiile cu dispozitive canal-n. Înlocuirea generaţiei precedente de dispozitive canal-p cu cea nouă – TrenchFET – va da posibilitatea proiectanţilor să dezvolte sisteme cu un consum foarte mic de putere. În comparaţie cu cele mai bune dispozitive MOSFET canal-p aflate pe piaţă (la aceleaşi valori ale tensiunii şi aceleaşi dimensiuni ale capsulei), pierderile în conducţie ale noilor circuite sunt reduse cu până la 90%. Opţiunile de încapsulare pentru dispozitivele de -40V sunt varianta standard DPAK (SUD50P04-09L), varianta îmbunătăţită termic D2PAK (SUM110P04-04L) şi varianta fără plumb PowerPAK® SO-8 (Si7463DP). Circuitele TrenchFET de -60V sunt disponibile în variantele DPAK (SUD50P06-15L), capsula îmbunătăţită termic D2PAK (SUM110P06-07L) şi PowerPAK SO-8 (Si7463DP). Dispozitivele încapsulate DPAK şi D2PAK sunt proiectate pentru o temperatură maximă a joncţiunii de 175°C, în timp ce capsula PowerPAK SO-8 TrenchFET corespunde unei valori de până la 150°C.
http://www.vishay.com