Cea mai mică rezistenţă RDS(on) pentru MOSFET-uri de 40V cu tensiune de prag standard
Un nou MOSFET cu tensiunea de prag standard este acum disponibil pentru mediul “Auto” de 12V şi de asemenea pentru aplicaţiile de conversie DC/DC. Acest dispozitiv prezintă cea mai mică rezistenţă RDS(on) disponibilă într-o capsulă TO-220 şi/sau D2PAK. Tranzistorul STB200NF04 aparţine celei mai noi tehnologii existente în industria auto de mică tensiune acceptată de cei mai importanţi clienţi din toată lumea. Următorul tabel prezintă caracteristicile electrice principale ale noilor dispozitive; unele dintre caracteristici sunt aplicabile capsulelor I2PAK şi TO-220.
Un nou dispozitiv de 30V cu tensiunea de prag standard – STB240NF03T4 a început să fie introdus în gama circuitelor destinate pieţei auto. Acesta prezintă o rezistenţă RDS(on) tipică de numai 2mW la 10V tensiune poartă-sursă fiind cea mai mică rezistenţă obţinută la dispozitivele de 30V produse de ST.
Aplicaţii:
– Aplicaţii de comutaţie la curenţi înalţi:
• E.P.A.S. (Electric Power Assisted Steering);
• Starter Alternator integrat;
• Suspensie electronică;
• Controlul/comanda motorului;
• Convertoare DC/DC.
Caracteristici:
– Tensiunea de operare: 175OC;
– Valori standard VGS(th);
– Avalanşă nominală;
– Valori mici RTHj-c;
– Operare în CC până la 120A.
Noutăţi privind B200NF04
Linia de producţie a tranzistorului STB200NF04 utilizează cele mai noi procedee tehnologice pentru minimizarea rezistenţei “componentelor pasive” a dispozitivelor STripFET III:
– rezistivitatea substratului mică;
– grosime mai mică a măştii.
Rezistivitatea substratului mică
Contribuţia la valoarea finală a rezistenţei RDS(on) pentru dispozitivele de 20V şi 40V se încadrează în limitele 10% – 15%. Deşi impactul asupra reducerii valorii rezistenţei RDS(on) datorită micşorării rezistenţei substratului pare să fie neglijabil, trebuie să considerăm că pentru aceste dispozitive o reducere cât de mică din valoarea mW-lor înseamnă un impact foarte mare asupra valorii totale a RDS(on). Acest substrat a fost deja îmbunătăţit datorită utilizării tehnologiei STripFET III.
Micşorarea grosimii măştii
Contribuţia grosimii măştii la valoarea finală a rezistenţei RDS(on) se situează în intervalul 10% – 20%. Acum, impactul nu este numai asupra valorii RDS(on) cât şi asupra rezistenţei termice RTHj-c. Valorile măsurate permit un nivel maxim de 0,46OC/W pentru a se putea garanta obţinerea rezultatelor. Împreună, reducerea grosimii măştii şi a suprafeţei de siliciu la 29mm2 vor impune un comportament termic excelent.
Mai multe informaţii:
www.st.com
www.stmcu.com
www.vitacom.ro
st@vitacom.ro