Renesas Electronics Corporation a anunțat un proiect de referință complet, pregătit pentru utilizare în spațiu, pentru sistemul pe cip (SoC) adaptiv AMD Versal™ XQRVC1902. Dezvoltat în colaborare cu AMD, proiectul de referință ISLVERSALDEMO2Z integrează componente cheie rezistente la radiații pentru gestionarea energiei, inclusiv patru noi produse, lansate recent, într-un design ultra compact. Aceste circuite integrate, marca Intersil, sunt special proiectate pentru a suporta o gamă largă de linii de alimentare pentru sistemele de avionică spațială de ultimă generație, care necesită toleranțe stricte de tensiune, curent ridicat și conversie eficientă a puterii, rezistând, în același timp, la mediul dur din spațiu.
Pe măsură ce tensiunile de alimentare scad, iar curenții cresc pentru FPGA-uri și ASIC-uri, a devenit tot mai dificil să se îndeplinească cerințele stricte de alimentare ale acestor dispozitive astfel încât să se asigure că acestea funcționează fără erori. Situația este foarte critică în special în misiunile spațiale, unde disponibilitatea energiei este limitată, iar sistemele sunt expuse la temperaturi extreme și la radiații pentru o perioadă de timp îndelungată.
Pentru a aborda aceste provocări, Renesas a colaborat cu AMD pentru a dezvolta o soluție completă de gestionare a puterii pentru platforma AMD Versal. SoC-ul adaptiv Versal este o platformă de calcul de top în domeniul spațial care oferă toleranță totală la radiații, inferență AI accelerată și performanță de procesare a semnalelor cu lățime de bandă mare. ISLVERSALDEMO2Z generează fiecare dintre liniile de alimentare utilizate de platforma Versal, inclusiv o sursă de tensiune redusă de 0,80 V pentru nucleu, care poate genera un curent de până la 140 A (amperi).
Noul proiect de referință de la Renesas este însoțit de o serie de dispozitive de gestionare a energiei care au fost testate și verificate pentru a rezista la expunerea la niveluri ridicate de radiații. Printre acestea se numără controlere PWM (Pulse Width Modulation), drivere GaN FET în jumătate de punte (half-bridge), regulatoare POL (point-of-load), switch-uri de putere și de activare și secvențiatoare de putere. Dispozitivele vin în capsule de mici dimensiuni, astfel încât componentele de bază ale magistralei de alimentare ocupă pe placă o suprafață de doar 104 centimetri pătrați, aproximativ echivalentul a două cărți de vizită.
În plus, ISLVERSALDEMO2Z este livrat cu toate fișierele de proiectare de care clienții au nevoie pentru integrarea rapidă în sistemele lor, inclusiv scheme, liste de materiale și fișiere Gerber pentru PCB.
Caracteristicile principale ale produselor nou lansate
ISL73847SEH – Controler PWM cu ieșire dublă, rezistent la radiații,
- Controler coborâtor (buck) sincron
- Monofazat sau bifazat
- Domeniul tensiunii de intrare de la 4,5V la 19V
- Tensiune de ieșire la fel de scăzută ca VREF: 0,6V ±0,67% (temperatură, radiații și durată de viață)
- Detecție diferențială de la distanță a tensiunii de ieșire
- Toleranță la radiații, LDR (0,01 rad(Si)/s): 75krad(Si)
- Domeniu de operare: de la -55°C la +125°C
ISL73041SEH și ISL71441M: Primele drivere dedicate Gan FET Half-Bridge din lume pentru aplicații spațiale
- Interfețe cu controlerul buck sincron ISL73847SEH
- Comandă de poartă programabilă, de la 4,5V la 5,5V
- Comunicație bidirectională cu ISL73847SEH pentru sincronizarea la pornire și detectarea defecțiunilor
- Înaltă potrivire, valori excelente ale întârzierilor de propagare între driverele high-side și low-side.
- Gamă largă a tensiunii de intrare VDD, până la 13,2V
- Cea mai bună performanță din clasa SEE (Single Event Effects)
- Disponibile în capsulă ceramică (ISL73041SEH) sau din plastic (ISL71441M).
- Domeniu de operare: de la -55°C la +125°C
ISL73007SEH – Regulator POL, rezistent la radiații
- Domeniul tensiunii de intrare de la 3V la 18V
- Compensare internă sau externă a buclei
- Toleranța tensiunii de referință este de 1% în funcție de temperatură și radiații
- Eficiență ≥90% de la 1A la 3A
- Cea mai mică amprentă din industrie în capsulă ceramică Dual Flatpack cu 14 pini.
- Toleranță la radiații, LDR (0,01rad(Si)/s): 75krad(Si)
- Domeniu de operare: de la -55°C la +125°C
Proiectul de referință împreună cu noile produse au fost prezentate la standul Renesas (nr. 112/113) în cadrul conferinței IEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference (NSREC), care a avut loc în perioada 24-28 iulie, în Kansas City, Missouri.
Disponibilitate
Toate produsele sunt disponibile imediat, iar proiectul de referință este disponibil la cerere. Pentru mai multe informații, contactați o echipă de vânzări sau să vizitați site-ul web Renesas: ISL73847SEH, ISL73041SEH și ISL71441M, respectiv ISL73007SEH.
Renesas Electronics Corporation