Zetex a lansat primele MOSFET-uri îmbunătăţite cu canal P de 30V. Arhitectura cu poartă întreruptă (recessed gate) unică a acestor MOSFET-uri cu canal avansate combină rezistenţa mică în conducţie cu frecvenţele mari de comutare pentru a asigura un randament ridicat şi curenţi mari.
Au fost lansate cinci produse cu canal P de tensiune mică în mai multe variante de montare pe suprafaţă.
Componentele “single device” sunt oferite în capsule SOT23 şi SOT23-6, iar componentele “dual device” sunt oferite în capsule SO8. Aceste noi componente sunt complementare tipurilor existente cu canal N de la Zetex. La o comandă a porţii de -10V, componenta ZXMP3A17E6 în capsulă SOT23-6 are o rezistenţă maximă în conducţie de numai 70mW pentru un curent continuu de drenă de 4A sau pentru un curent în impulsuri de 14,4A. Capacitatea totală de încărcare a MOSFET-ului – 15,8nC pentru aceiaşi comandă a porţii – face ca dispozitivul să poată fi folosit cu succes la frecvenţe înalte. Această serie de componente MOSFET cu canal P, caracterizată de pierderi mici şi de frecvenţe mari de funcţionare, este destinată aplicaţiilor de convertoare DC-DC, aplicaţiilor de control a motoarelor şi aplicaţiilor de comutaţie, precum şi pentru o gamă largă de funcţii de “power management”.
www.microchip.com