Primele dispozitive de acest tip ce folosesc tehnologia cu proces de cupru de 0,13 µm, memoriile SRAM sincrone de înaltă viteză SigmaRAM sunt realizate special pentru aplicaţiile de networking şi de telecomunicaţii. Dispozitivele au busuri separate de citire şi de scriere ce optimizează ciclurile de citire/scriere back-to-back read/writes, eliminând astfel orice posibilitate de conflict.
Dispozitivele SigmaRAM sunt disponibile în trei versiuni: double late write and pipelined read/no bus turnaround (Sigma 1x1Dp), late write and pipelined read (Sigma 1x1Lp) şi late write and flow-through read (Sigma 1x1Lf). Spre deosebire de soluţiile existente, dispozitivele sunt înalt scalabile, suportă rate de date de până la 24 Gbits/s în timpul adresărilor aleatoare la 333 MHz şi sunt încapsulate în capsule ce suportă densităţi de până la 144 Mbits. Alte caracteristici sunt: bus-uri comune şi separate pentru 18 la 72 de biţi, operare single – şi double-data-rate şi o interfaţă source-synchronous ce foloseşte echo clocks. Memoriile funcţionează la 1,8V cu I/O de 1,8 şi 1,5V şi necesită curenţi de standby mai mici de 100mA cu curenţi de funcţionare worst-case de 500 mA. Livrate în capsula BGA de 209 pini, dispozitivele au un footprint de 14 x 22mm şi un ball pitch de 1,0 mm.
Integrated Silicon Solution Santa Clara
www.issi.com