Mixer E-pHEMT MMIC de înaltă liniaritate pentru staţiile de bază 3G

by donpedro

Böblingen, Germania, 28-06-2004 – Agilent Technologies a lansat pe piaţă circuitul IAM-92516, un mixer de înaltă liniaritate, mic LO (oscilator local) power E-pHEMT (enhancement mode pseudomorphic high electron mobility transistor) MMIC (circuit integrat monolitic pentru microunde) proiectat să îndeplinească toate cerinţele critice de performanţă ale staţiilor de bază 3G – BTS, cardurilor radio şi altor aplicaţii radio cu configuraţii “point-to-point” şi “point-to-multipoint”.

Circuitul produs de Agilent’s Semiconductor Products Group – IAM-92516, combină înalta liniaritate cu cel mai mic circuit de comandă LO din industrie, consum redus de putere şi cel mai larg domeniu al frecvenţei de operare. Circuitul lucrează cu frecvenţe de intrare RF şi LO de la 400 la 3500MHz. Ieşirea IF extinde domeniul de la DC la 300MHz.
Suplimentar, pentru a putea fi folosit drept convertor de frecvenţă, circuitul poate de asemenea să îndeplinească anumite roluri: modulator de înaltă frecvenţă pentru transmisii cu microunde, demodulator pentru receptoare şi mixer FET rezistiv de uz general necesar altor aplicaţii de înaltă liniaritate.
Dispozitivul IAM-92516 lucrează alimentat de la o sursă de tensiune “single” cuprinsă între limitele 3.3VDC … 5VDC şi are un consum uzual de numai 26mA la 5 volts. Oferă un nivel mai mare de 27dBm (IP3), 9dBm putere de ieşire, 1dB amplificare în compresie, 6dB pierdere de energie locală şi 12.5dB zgomot (toate valorile sunt tipice). Izolaţiile LO la IF, LO la RF şi RF la IF au fiecare un nivel mai mare de 30dB. Într-o aplicaţie tipică, (1.91GHz frecvenţă de intrare, 1.7GHz oscilator local şi ieşire de 210MHz), mixerul poate manipula o intrare RF în valoare de 10dBm fără distorsiuni, cu o putere de intrare a oscilatorului local (LO) de numai -3dBm.
Circuitul IAM-92516 este livrat într-o capsulă cu 16 pini LPCC fără plumb şi halogen cu dimensiunile de 3.0 x 3.0 x 0.75mm. Portul LO are o sarcină de 50ohm şi poate fi comandat diferenţial sau nesimetric; portul IF are o sarcină de 200ohm şi este complet diferenţial. Portul RF necesită pentru adaptare o reţea externă pentru a putea realiza o intrare cu pierderi de reflexie optimă şi IP3 de mare performanţă.
Pentru mai multe informaţii despre circuitele semiconductoare RF produse de Agilent, vizitaţi pagina web:

www.agilent.com/view/rf
www.agilent.com

S-ar putea să vă placă și