Infineon şi Micron colaborează pentru dezvoltarea de memorii DRAM rapide

Munchen, Germania/Boise, Idaho, S.U.A. – 30 mai 2001 – Infineon Technologies AG (FSE, NYSE: IFX) şi Micron Technology, Inc., (NYSE: MU) au anunţat astăzi că au semnat un contract pentru dezvoltarea unei noi familii, de mai multe generaţii, de memorii DRAM rapide (RLDRAM).
Aceste noi memorii, beneficiind de know-how de la liderii producătorilor de reţele, vor funcţiona iniţial la rate de date de până la 600 Mbit/sec/pin, având întârzieri mult mai mici faţă de memoriile produse cu celelalte arhitecturi de memorii. Arhitectura internă de memorie, unică, permite un acces aleator ultra-rapid, astfel reducând diferenţa între memoriile DRAM şi memoriile SRAM. Infineon şi Micron vor să facă RLDRAM standardul multi-sursă pentru memoriile de înaltă performanţă folosite în comutatoare, router-e şi alte aplicaţii rapide de bandă largă.
Infineon şi Micron vor colabora îndeaproape pentru a asigura surse multiple noilor RLDRAM prin dezvoltarea de produse compatibile la nivel de pin şi funcţional. Fiecare companie pune la dispoziţie expertize de sistem şi direcţii de producţie, punând la dispoziţia consumatorilor profitul colaborării celor două companii.
“RLDRAM este cel mai economic mijloc pentru realizarea memoriilor rapide de bandă largă necesare viitoarelor generaţii de reţele de viteză înaltă. Suntem emoţionaţi că avem ocazia să lucrăm cu Infineon în dezvoltarea de produse RLDRAM.”
http://www.infineon.com/products/memory/