Soluții GaN special furnizate pentru aplicații cu bandă interzisă largă
Infineon oferă acum soluții GaN ce permit dezvoltarea de sisteme energetice de ultimă generație, compacte și de înaltă performanță. Tranzistoarele de tip HEMT cu canal indus de 600 V CoolGaN™ oferă o eficiență înaltă a corecției factorului de putere (>99,3% pentru 2,5 kW CFP) și densitate înaltă pentru aceeași eficiență (>9,8 W/cm³ pentru 3,6 kW LLC cu eficiență >98%). În plus, aceste comutatoare CoolGaN, în pachete SMD, pot fi combinate cu circuitele integrate de tip declanșator de poartă EiceDRIVER™ cu un canal, cu izolație funcțională și ranforsată, pentru o pornire rapidă, o topologie robustă de declanșare a porții și o eficiență superioară.
| Aflați mai multe |
Politica de confidențialitate
© 2019 Mouser and Mouser Electronics. Toate drepturile rezervate.
AZ Tower, Pražákova, 1008/69, 639 00 Brno, Czech Republic