South Portland, Maine, 30 August 2006 – Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) a dezvoltat o familie de MOSFET-uri 600V Super FET™ cu rezistenţă de on mică, familie care se adresează în special cerinţelor dispozitivelor DPAK (TO-252) din cadrul celor mai noi aplicaţii de stabilizare. Aceste aplicaţii sunt caracterizate de dimensiuni reduse de tip ultra-slim.
Pentru minimizarea pierderilor de comutare şi conducţie şi pentru respectarea cerinţelor de eficienţă ale sistemelor, aceste dispozitive cu comutare rapidă Fairchild DPAK SuperFETs oferă o rezistenţă de on de o treime (0,6 ~ 1,2 Ohmi) din cea a MOSFET-urilor tradiţionale. Ele au de asemenea capacitatea de a rezista tranziţiilor de comutare de mare viteză ale tensiunii (dv/dt) şi ale curentului (di/dt) caracteristică necesară stabilizatorului pentru o operare sigură la frecvenţe foarte înalte.
Uzual, odată cu creşterea tensiunii de străpungere a unui MOSFET standard, rezistenţa sa RDS(on) creşte exponenţial şi conduce la o dimensiune mare. Tehnologia patentată Fairchild SuperFET schimbă această relaţie dintre RDS(on)-dimensiune de la exponenţial la liniar.
Această abordare permite dispozitivelor SuperFET să ofere valori impresionante ale RDS(on) şi dimensiuni mici, chiar şi pentru o tensiune de străpungere de 600V.
Fairchild Semiconductor
www.fairchildsemi.com