Infineon Technologies a anunţat lansarea primelor exemplare de module DIMM (Dual Inline Memory Modules) DDR SDRAM unbuffered de 1 Gigabyte (GB) şi de module de test complet funcţionale de DDR SDRAM DIMM de 2 Gigabyte (GB). DIMM-urile de 1GB sunt destinate pentru PC high-end şi staţii de lucru, iar cele de 2GB sunt destinate memoriei principale pentru staţii de lucru şi servere. Noile module sunt primele module comerciale de înaltă densitate bazate pe componente monolitice de memorie (single-chip) de 512 Mb şi oferă sistemelor OEM avantaje de performanţă în încărcarea semnalului, viteză, calitate şi siguranţă.
Modulele de 2GB, care au fost testate public pe ServerWorks GC-LE/Prestonia cu ocazia Intel Developer Forum din ultima lună, au fost testate în această săptămână la JEDEX Conference în Santa Clara. Deoarece componentele de 512Mb folosite de noile module folosesc un singur cip de siliciu într-o capsulă TSOP II package, DIMM-urile de la Infineon au o integritate superioară a semnalului, un consum mai mic de putere şi siguranţă mai mare în comparaţie cu modulele disponibile acum pe piaţă, care folosesc două cipuri de siliciu într-o capsulă. DIMM-urile unbuffered de 1GB folosesc 18 componente de 512Mb configurate 64M x 8. DIMM-urile de 2GB folosesc 36 de componente de 512Mb organizate 256M x4, ceea ce înseamnă că suportă chip-kill, o caracteristică folosită acum în sistemele controler de memorie avansate. Ambele DIMM-uri au 184 pin, funcţionează la 2.5V, sunt disponibile la viteze pentru PC1600 şi PC2100. Modulele cu cea mai mare densitate disponibile acum, dispozitivele de la Infineon au capabilităţi mai bune de manipulare a memoriei necesare staţiilor de lucru şi serverelor, permiţând furnizorilor de sisteme dublarea memoriei on-board în comparaţie cu sistemele ce folosesc module bazate pe componente de 256Mb.
www.infineon.com.