Noua generaţie a tehnologiei TrenchFET® ce redefineşte MOSFET-urile de putere a fost anunţată de Siliconix. Compania îşi foloseşte noua platformă pentru construcţia primului MOSFET de putere din industrie pentru a sparge bariera de 4-milliohm în amprenta SO-8. Produsele construite în noua tehnologie TrenchFET sunt bazate pe platforma de 300 milioane celule / inch2 ce oferă o rezistenţă specifică de 12 mW/mm2, ceea ce înseamnă o îmbunătăţire cu 30% faţă de generaţia precedentă. Primele produse construite astfel sunt Si4320DY (LITTLE FOOT® SO-8) canal n de 30V şi Si7356DP (PowerPAK® SO-8), ambele fiind proiectate să servească aplicaţiilor de mare performanţă şi soluţiilor optime de cost precum convertoarele sincrone DC /DC ale calculatoarelor portabile sau aplicaţiile din telecomunicaţii. Noile Si4320DY şi Si7356DP oferă o performanţă “in-circuit” foarte bună ce reduce consumul de putere şi prelungeşte durata de viaţă a bateriei ale echipamentelor finale.
http://www.vishay.com