Destinate comunicaţiilor mobile, memoriile synchronous-burst SRAMs (SSRAMs) N18Nx series de 18 Mbit şi fast-turn-around SRAMs (FTRAMs) sunt dispozitivele de acest tip cu cea mai mare densitate. Dispozitivele de mică putere produc mult mai puţină căldură în
comparaţie cu dispozitivele SRAM tradiţionale şi au o viteză şi o siguranţă în funcţionare mai mari.
Ambele tipuri de memorii sunt disponibile cu nuclee de 2,5 şi 3,3V şi au alimentări separate de I/O pentru flexibilitate în sistemele de comunicaţii, iar dispozitivele FTRAM îmbunătăţesc comutarea bus-ului între ciclurile de scriere şi citire. Alte caracteristici includ viteze de funcţionare pipeline de până la 200MHz cu timpi de acces de 3,0ns, folosirea 100% a bus-ului şi compatibilitate completă cu alte bus-uri pentru SRAM fără întârzieri. Dispozitivul este livrat în capsula de 100 de pini TQFPs şi în capsula de 119 pini BGA.
NanoAmp Solutions, San Jose
www.nanoamp.com