Infineon Technologies AG a anunţat că a trimis deja către clienţii săi primele mostre de memorii DRAM de 1 Gbit DDR. Dispozitivele sunt fabricate folosind proces tehnologic 110nm CMOS. La o dimensiune a chip-ului de numai 160mm2, aceasta reprezintă în acest moment, cea mai mică memorie din industrie SDRAM de 1 Gbit de pe piaţă. Noua memorie de 1 Gbit DRAM este integrată într-o capsulă standard TSOP 400 mil, 66 pini sau într-o capsulă FBGA de 68 ball pentru aplicaţiile în care spaţiul este o cerinţă strictă. Suportă organizări de x4, x8 şi x16. Memoria de 1 Gbit DDR SDRAM acoperă întreg domeniul vitezelor de date al DDR-urilor tradiţionale, de la DDR266 până la DDR400 lucrând la viteze de ceas de la 133MHz respectiv 200MHz. Pentru a obţine o atât de mare densitate de memorie per modul, Infineon va utiliza o versiune stivă de capsulă FBGA pentru a produce module de 4 Gbyte, tehnologie numită “Dual Die Stack”.
www.infineon.com