Infineon Technologies AG a anunţat disponibilitatea pentru testare a componentelor de memorie DRAM de 256 Mbit cu întârzieri mici (RLDRAM™). Proiectate special pentru utilizarea în reţele de mare viteză, RLDRAM este un SDRAM de mare viteză DDR (Double Data Rate) cu acces rapid, aleator, cu o lărgime de bandă foarte mare şi de mare densitate. Router-ele şi comutatoarele high-end, ca elemente cheie pentru realizarea de reţele actuale, pot fi acum echipate cu memorii care permit rate de transmisii de date foarte mari.
RLDRAM este oferit sub două configuraţii: 8M x 32 şi 16M x 16. Funcţionând la frecvenţe de tact de până la 300 MHz şi folosind o interfaţă DDR, RLDRAM suportă o lărgime de bandă susţinută de 2,4 Gbytes/s şi permite un acces aleator la oricare din cele 8 bank-uri. Arhitectura inovativă de memorie a componentelor permite un acces aleator foarte rapid cu o durată a ciclului de 25 ns, în comparaţie cu timpul de acces al DRAM standard de 50 ns sau mai mare. RLDRAM umple astfel golul dintre DRAM şi SRAM rapid.
Proiectanţii reţelelor de mare viteză şi echipamentelor de comunicaţii pot folosi acum Avnet Design Services Avalon™ Reference Design System pentru evaluarea şi îmbunătăţirea proiectelor lor folosind RLDRAM.
“Cu RLDRAM Add-on card care respectă Avalon şi nuclee FPGA IP, proiectanţii de comunicaţii de înaltă viteză şi echipament de reţea vor putea implementa rapid sisteme care să folosească puterea şi avantajele noi arhitecturi de memorie” a spus Warren Miller, vicepreşedinte de marketing la Avnet Design Services.
www.infineon.com
www.rldram.com