Dispozitivul are un timp de address-access de 65ns, un timp de page-access de 18ns şi funcţionează la un curent de 35mA.
Cu un timp de address-access de 65ns şi un timp de page-access de 18ns, µPD4664312 DRAM este cel mai rapid dispozitiv de 64Mbit şi este special proiectat pentru aplicaţiile mobile ca telefoane mobile şi alte terminale portabile.
Memoria lucrează la un curent de 35mA, iar în stand-by consumă mai puţin de 100 A.
Dispozitivul este astfel structurat pentru a facilita automatic on-chip refresh fără un dispozitiv de control exterior, fiind astfel interschimbabil cu memoriile SRAM. Memoria DRAM de 4M x 16 bit oferă de asemenea un mod de 8-word page-access şi un mod de refresh parţial, ceea ce reduce curentul de stand-by. Memoria CMOS este livrată într-o capsulă de 93 de pini FBGA şi are un domeniu de funcţionare de la -25° la 85°C.
http://www.nec.com