C I / siliciu – germaniu ce lucreaza la frecventa de 110 GHz

by donpedro

Bazat pe tehnologia bipolară SIGe, Infineon a proiectat câteva blocuri funcţionale noi pentru dispozitivele care lucrează în domeniul comunicaţiilor de mare viteză ce ajung până la 200GHz. Utilizând acest proces tehnologic, s-au obţinut următoarele performanţe: 110GHz+ divizor dinamic de frecvenţă, 86GHz divizor static de frecvenţă şi 95GHz oscilator controlat în tensiune (VCO). De asemenea, Infineon a demonstrat că integrarea unui transceiver radar de 77GHz construit pe tehnologia SiGe în aceste blocuri este acum fezabilă. Rezultatele au mai arătat că tehnologia bipolară SiGe este foarte potrivită pentru o gamă largă de aplicaţii analogice şi digitale de mare viteză precum comunicaţiile de date la viteze de ordinul Gigabit/s, aplicaţii de bandă largă (broadband) fără fir sau produse destinate aplicaţiilor cu microunde.
Produse SiGe: tranzistoare RF, amplificatoare de zgomot mic, circuite integrate pentru microunde.

www.infineon.com