Circuitele TC59LM818DMB-30/33/40 ce formează reţeaua celor mai rapide memorii RAM (FCRAM) – network fast-cycle RAM – declară cel mai rapid timp de acces din industrie, mai mic de 20ns. Construite pentru a lucra în aplicaţii de reţea de foarte înaltă viteză, incluzând switch-uri şi routere, componenta de 0.13µm are o capacitate de memorie de 288Mbits şi o rată de transfer a datelor de 666Mbits/s.
Circuitele FCRAM au o configuraţie a memoriei de 4Mcuvinte x 4bank-uri cu o lungime a cuvintelor de 18 biţi şi sunt complet compatibile cu memoriile Samsung DRAM.
Alte caracteristici:
• tensiunea de alimentare: 2.5V;
• 60 terminale mBGA;
• frecvenţa de lucru: 250, 300, şi 333MHz;
• perioada de ceas: 3.0, 3.3, şi 4.0 ns;
• curentul de operare: 210mA.
Toshiba America Electronic Components
www.toshiba.com/taec