Royal Philips Electronics a anunţat o nouă linie de tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor canal N (MOSFET-uri) în capsulă TSOP6 – bazat pe tehnologia inovatoare µTrenchMOSTM. Cu o amprentă de 9,3mm2, sau mai mică decât vârful unui chibrit, dispozitivele µTrenchMOS TSOP6 permit crearea de produse portabile mai mici, mai uşoare şi mai puternice, cum ar fi PDA-uri, notebook-uri, calculatoare personale şi aplicaţii casnice, cum ar fi aparate electrice de ras şi perii de dinţi.
Noile dispozitive µTrenchMOS TSOP6 au carateristică foarte joasă pe rezistenţa Rds(on) şi sunt alimentate la 30V, 20V şi 12V Vds. Cu cât o rezistenţă Rds(on) a MOSFET-ului este mai mică, cu atât produsul disipă o putere mai mică, astfel crescând durata de viaţă a bateriei. TSOP6 oferă calităţi electrice şi termice superioare oferind beneficii, cum ar fi nivele scăzute de disipare a puterii până la 1,4W suplimentar la temperaturile cooler-ului.
Următoarele produse µTrenchMOS vor fi încapsulate TSSOP8, SC70 şi SC88 şi vor apărea în trimestrul 4, 2002.
www.semiconductors.philips.com