O generaţie nouă de MOSFET cu N-canale şi o rezistenţă redusă la tensiune

by donpedro

Primele mostre de tranzistoare cu N-canale din generaţia nouă a produselor firmei Zetex care în curând vor fi lansate pe piaţă într-o gamă largă, sunt bazate pe o platformă modernă de MOSFET – ZXMN, cu o structură actualizată, caracterizată prin rezistenţa redusă la tensiune şi o viteză mare de comutare.
Primul produs din acestă serie este ZXMN3A01F, corpul carcasei fiind de tipul SOT23. Tensiunea nominală a tranzistorului este de 30V, iar curentul electric care trece prin drenă este de 2.5A care se obţine datorită valorii tipice a rezistenţei de 90mW la o tensiune de 10V şi 145mW la o tensiune de 4.5V. Valoarea tipică a sarcinei asupra porţii este de 2.3nC, din care rezultă o eficienţă înaltă a utilizării la comutatoarele de un voltaj mare.
Într-un mod similar, tranzistorul ZXMN3A02X8 montat într-o carcasă de tipul MSOP8 este cu o rezistenţă de 18mW la o tensiune de 10V şi de 25mW la o tensiune de 4.5V, şi cu o valoare tipică a sarcinii asupra porţii de 14.5nC.
La cele două tipuri de corpuri ale carcasei tensiunea joasă limită şi sarcina mică, presupun un voltaj redus al tensiunii, care intră în caracteristicile schemelor convertorilor de tipul DC-DC, celor de funcţionare cu curent continuu, schemelor comutatoare, etc.
Lansarea produselor din această generaţie nouă a tranzistoarelor de transmisie ale firmei Zetex, vor fi realizate într-o gamă largă pe parcursul anului curent. Aceste aparate noi vor include variantele de 20V, 60V şi 100V, cu diverse corpuri ale carcasei în ceea ce priveşte montarea superficială, toate având caracteristici şi performanţe excelente.

www.comet.srl.ro

Adaugă un comentariu