Mouser Electronics, Inc. a anunțat o nouă carte electronică în colaborare cu onsemi, care explorează utilizarea semiconductorilor din carbură de siliciu (SiC) pentru proiectarea sistemelor de putere.
Dispozitivele SiC revoluționează electronica de putere cu proprietățile lor materiale superioare, permițând crearea unor sisteme de putere mai eficiente, compacte și sustenabile. În cartea Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics, onsemi explorează beneficiile SiC, aplicațiile sale în vehiculele electrice și energia regenerabilă, precum și importanța alegerii partenerului SiC potrivit. Furnizor de încredere de soluții de putere, onsemi oferă dispozitive SiC de înaltă calitate, un lanț de aprovizionare fiabil și suport cuprinzător pentru proiectare.
Cartea electronică include linkuri utile către anumite produse de putere ale onsemi, cum ar fi MOSFET-ul NTBG014N120M3P EliteSiC. NTBG014N120M3P este un MOSFET SiC planar M3P de 1200V optimizat pentru aplicații de putere. Tehnologia planară funcționează fiabil când tensiunea aplicată pe poartă este negativă și oprește vârfurile de tensiune pe poartă. Acest dispozitiv este ideal pentru utilizarea în invertoare solare, stații de încărcare a vehiculelor electrice, sisteme de stocare a energiei și surse de alimentare cu comutație.
MOSFET-ul NVBG1000N170M1 EliteSiC, de asemenea disponibil la Mouser, este un dispozitiv planar M1 de 1700V optimizat pentru aplicații cu comutare rapidă. Acest dispozitiv este certificat AEC-Q101 și compatibil PPAP, ceea ce îl face ideal pentru utilizarea în vehicule electrice (EV) și vehicule electrice hibride (HEV). În EV-uri și HEV-uri, avantajele dispozitivelor SiC se traduc în soluții de alimentare care sunt mai mici, mai ușoare și mai eficiente. Se irosește mai puțină energie, ceea ce duce la o reducere a numărului de baterii scumpe necesare.
Dispozitivul de comandă a porții NCP51705 a fost proiectat pentru a comanda în primul rând tranzistoare MOSFET SiC. Pentru a obține cele mai mici pierderi de conducție posibile, driverul este capabil să furnizeze tensiunea de poartă maximă permisă dispozitivului MOSFET SiC. Prin furnizarea unui curent de vârf ridicat în timpul pornirii și opririi, pierderile de comutare sunt minimizate.
Driverul de poartă cu două canale izolate NCP51560 a fost proiectat pentru comutare rapidă cu scopul de a comanda switch-urile de putere MOSFET SiC. Două canale de driver de poartă independente izolate galvanic pot fi utilizate în orice configurație posibilă constând în două switch-uri “low-side”, două switch-uri “high-side” sau un driver în jumătate de punte cu timp mort programabil. NCP51560 oferă și alte funcții de protecție importante, cum ar fi blocarea independentă la subtensiune pentru ambele drivere de poartă.
- Pentru a citi noua carte electronică de la Mouser și onsemi, accesați https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/onsemi-enabling-a-sustainable-future-with-silicon-carbide-power-electronics-mg/.
- Pentru a răsfoi întreaga bibliotecă Mouser de cărți electronice ale producătorilor, vizitați https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/.
- Pentru mai multe noutăți de la Mouser, vizitați https://eu.mouser.com/newsroom/.