SANTA CLARA, CALIFORNIA – 20 aprilie 2005 – Siliconix (NASDAQ: SILI) 80,4% – subsidiar al Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH), anunţă primele circuite MOSFET de tip n-channel, care combină o tensiune de prag mare: 3,4 V cu o rezistenţă pe starea on mică: 2,7 miliohmi.
Sunt disponibile astfel 10 noi circuite MOSFET, în versiunile de 40 V şi 60 V, ce se doresc a fi utilizate pentru înaltă temperatură şi înalt curent în aplicaţii cu sarcini inductive în industria auto, telefonia fixă etc.
Atunci când circuitele MOSFET operează în medii de înaltă temperatură şi înalt curent, ele pot trece în starea on spontan, dacă tensiunea lor de prag, sub influenţa căldurii, începe să se apropie de 0 V.
Până acum, aceasta era o problemă dificilă pentru proiectanţi.
O soluţie o reprezenta aducerea unei tensiuni negative în circuit, dar inconvenienţele constau în creşterea dimensiunii circuitului, a costului şi a complexităţii. O altă soluţie ar fi fost utilizarea unui dispozitiv cu prag de tensiune înalt, dar efectul ar consta din creşterea nedorită a rezistenţei în starea on.
Această nouă familie de MOSFET oferă calea de ieşire din problema menţionată, datorită tehnologiei cu siliciu de înaltă densitate, care permite aceluiaşi dispozitiv să furnizeze o rezistenţă mică pe on şi un prag înalt de tensiune.
Dispozitivele sunt disponibile în capsule DPAK, D2PAK, şi PowerPAK SO-8.
Siliconix – Vishay Intertechnology, Inc. www.vishay.com