Rezistenţa (on) de mică valoare impune noile tranzistoare MOSFET de putere fabricate de STMicroelectronics în utilizarea lor în convertoarele DC/DC
Performanţe obţinute din combinaţia proces tehnologic – capsulă
Geneva, Octombrie 24, 2003 – STMicroelectronics a lansat pe piaţă un tranzistor MOSFET canal N cu o rezistenţă RDS(on) foarte mică reducând astfel încărcarea de poartă şi rezistenţa termică. Aceste caracterisitici au fost optimizate astfel încât acest tranzistor este destinat în special aplicaţiilor privind convertoarele DC/DC de mare curent.
STD150NH02L este un tranzistor MOSFET canal N care suportă o tensiune drenă – sursă VDS de 24V şi un curent de drenă maxim, ID, de 150A. La aceste valori rezistenţa RDS(on) este de 0.0035 Ohm. La tensiunea de 10V, rezistenţa RDS(on) tipică este de 0.003 Ohm, iar la 5V, ea este de 0.005 Ohm. Aceste caracterisitici reduc pierderile de conducţie prin componentă.
Tranzistorul a fost astfel proiectat încât să se asigure o încărcare de poartă QG destul de mică. Aceasta reduce pierderile de comutaţie; reducerea rezistenţei termice în schimb, îmbunătăţeşte caracteristicile de curent ale tranzistorului.
STD150NH02L a fost proiectat folosindu-se a treia generaţie de proces tehnologic de fabricaţie propriu ST, StripFET. Acest proces de 0.6µm utilizează tehnologii de metalizare unice şi tehnici de asamblare fără lipire îmbunătăţind performanţele capsulelor standard DPAK. Acest lucru impune tranzistorul pentru utilizarea lui în convertoare de mare eficienţă de la care se aşteaptă să funcţioneze cu ieşiri de curenţi foarte mari.
www.st.com