Infineon îşi întăreşte poziţia de frunte în producţia de memorii pentru PC-uri, sisteme mobile şi sisteme de reţea şi produce mostre ale primuluiemiţător-receptor RF mono-chip W-CDMA/UMTS
Infineon Technologies a anunţat dezvoltarea de noi produse în unitatea sa “Memory Products Business Unit”, care întăreşte rolul de conducător al firmei ca furnizor de memorii DRAM pentru pieţele de PC-uri şi servere, sisteme alimentate de la baterie şi dispozitive de reţea.
De asemenea, Infineon a început activitatea de sampling cu primul emiţător-receptor RF mono-chip, complet integrat, W-CDMA /UMTS, pentru aplicaţii 3G;
Mostre ale SO-DIMM (small-outline DIMM) DDR de 1GB pentru PC-uri notebook şi laptop-uri;
O nouă componentă SDRAM de 512Mb din familia de dispozitive Mobile-RAM cu amprentă mică şi consum redus;
Lansarea în producţie a Reduced Latency DRAM (RLDRAM) în densitate de 256Mb şi disponibilitatea unei platforme de dezvoltare RLDRAM de la Memec Group, un partener distribuitor al Infineon în America de Nord;
Infineon a început să expedieze la clienţi selectaţi mostre ale primului emiţător-receptor RF mono-chip complet integrat, W-CDMA/UMTS
Primele mostre de memorii SDRAM DDR2 de 512Mb, disponibile acum
Infineon a început procedurile interne pentru memoria SDRAM DDR2 (second-generation Double-Data-Rate) de 512Mb. Prevăzută a fi utilizate în noua generaţie de servere, staţii de lucru, PC-uri şi notebook-uri, memoria DDR2 va oferi iniţial rate de date pe pin de 400Mbps, 533Mbps şi 667Mbps. Modulele de memorie proiectate folosind rata de date de 533Mbps, de exemplu, vor avea o lăţime de bandă de 4,3GBps. Satisfăcând standardul JEDEC, chipurile DDR2 de 512Mb, fabricate folosind tehnologia Infineon din generaţia următoare, 110nm DRAM, sunt configurate ca DRAM-uri “quad-bank” şi vor fi disponibile în bancuri x4, x8 şi x 16. Caracteristici suplimentare ale noilor componente includ o dimensiune “pre-fetch” de 4 biţi, “strobe” diferenţial şi reglare variabilă a impedanţei datelor de ieşire. Infineon se aşteaptă ca memoriile DDR2 să apară în sistemele utilizatorilor finali în 2004.
Informaţii suplimentare asupra memoriilor DDR2 produse de Infineon pot fi găsite la adresa:
http://www.infineon.com/DDR2
PC2100 1GB DDR, SO-DIMM-uri
Infineon a lansat primele mostre de memorii SO-DIMM DDR de 1GB pentru PC-uri notebook şi laptop-uri. SO-DIMM de 1GB foloseşte opt componente de 1Gb care sunt construite de Infineon folosind o pereche de 512Mb într-o singură capsulă. Această încapsulare permite adaptarea mai rapidă a componentelor DDR-I de 1Gb ce corespund factorului de formă standard PC2100 JEDEC. Ea foloseşte un conector cu 200 pini, funcţionează la 2,5V şi este organizată în două bancuri 128Mb x 64. Preţul unei mostre de modul PC2100 este de 900USD. O versiune corespunzând cu PC2700 a modulului de 1G este planificată să fie disponibilă în al doilea trimestru al 2003. Informaţii suplimentare despre memoria SO-DIMM de 1GB produsă de Infineon pot fi găsite la adresa: http://www.infineon.com/memory/fbga
Familia Mobile-RAM extinsă cu componenta 512Mb
Densitatea 512Mb extinde familia Mobile-RAM a Infineon, care include, de asemenea, componente de 128Mb şi 256Mb. Cu amprentă şi consum de putere în stand-by cu 50% mai mici decât DRAM-urile convenţionale, Mobile-RAM este adecvată ideal pentru utilizare ca memorie principală în dispozitivele electronice portabile, cum ar fi PDA-uri, telefoane inteligente, pad-uri Web şi camere digitale.
Mobile-RAM funcţionează la 2,5V, faţă de 3,3V la cât funcţionează SDRAM-urile convenţionale iar consumul său de putere este redus folosind tehnici integrate de management al puterii.
Mobile-RAM de 512Mb este disponibilă acum la preţul de 40USD/bucată pentru mostre.
Informaţii suplimentare despre produsele Mobile-RAM ale http://www.infineon.com/Mobile-RAM
RLDRAM în densitate de 256Mb
Cu cantităţi de producţie ale Reduced Latency DRAM (RLDRAM) de 256Mb disponibile acum, proiectanţii de echipament de reţea suportând rate de date de 10 – 40Gbps (OC-192 şi OC-768) pot optimiza sisteme pentru pachet buffering de date, căutare adresă IP şi aplicaţii memorie cache rapidă. RLDRAM permite acces aleatoriu ultrarapid, cu timpi ai ciclului rândului cu rapiditatea de 25ns, făcând din ea un excelent înlocuitor, cu cost redus, pentru componente SRAM.
Mai multe companii oferă soluţii placă de dezvoltare pentru proiectanţii de sistem ce lucrează cu RLDRAM, incluzând “Avalon Reference Design System” de la Avnet Design Services şi o placă de referinţă de la companii ale Memec Group, un distribuitor global specializat în semiconductoare.
Mai multe informaţii despre produsele RLDRAM ale Infineon pot fi găsite la adresa:
http://www.infineon.com/memory/rldram
Infineon produce mostre de emiţător-receptor RF pentru aplicaţii W-CDMA/UMTS
Infineon a început să facă sampling cu primul emiţător-receptor RF mono-chip complet integrat W-CDMA/UMTS (IC PMB5698) către clienţi selectaţi.
CI a fost proiectat să fie utilizat în aplicaţii mobile W-CDMA şi UMTS/GSM conform cerinţelor 3GPP. Consumul scăzut de curent ajută la creşterea suplimentară a timpului de stand-by şi de convorbiri ale aparatelor portabile din generaţia a 3-a.
Mono-chipul înalt integrat uşurează semnificativ proiectarea unei aplicaţii mobile unde se cere cel mai mic număr de componente şi cel mai mic spaţiu PCB în comparaţie cu implementările separate receptor/transmiţător. Arhitectura “homodyne” a CI simplifică drastic sistematizarea frecvenţei şi elimină necesitatea utilizării unei frecvenţe intermediare (IF) cu componente suplimentare cum ar fi filtre SAW. CI este într-o singură capsulă P-VQFN cu 40 pini şi pas de 0,5mm.
http://www.infineon.com