Infineon Technologies, a prezentat trei noi comutatoare Galiu Arseniu (GaAs) PHEMT, CSH210, CSH210R şi CSH210P, folosite la telefoanele mobile multi-band actuale şi viitoare şi la produsele WLAN şi Bluetooth.
Comutatoarele GaAs PHEMT sunt folosite în multe aplicaţii, inclusiv comutatoare pentru antene de emisie-recepţie, filtre de bandă şi comutare LO. Comutatoarele PHEMT pot fi folosite şi în combinaţie cu duplexere şi filtre SAW (Surface Accoustic Wave) pentru a crea module front-end mici şi care consumă un curent de mai puţin de 1% faţă de variantele cu diodă PIN.
Având la bază tehnologia GaAs-PHEMT, avantajele comutatoarelor de la Infineon includ o pierdere foarte mică de inserţie, o izolare excelentă şi o liniaritate foarte bună, iar curentul de control este aproape nul. Toate comutatoarele PHEMT de la Infineon pot fi polarizate, folosind doar tensiuni pozitive de control, şi nu au nevoie de o tensiune externă de referinţă. Infineon are în plan dezvoltarea unei întregi linii de produse de comutatoare PHEMT pentru aplicaţii 3G şi GSM.
CSH210 (standard logic) şi CSH 210R (reverse logic) sunt comutatoare SPDT (Single Pole Double Throw) într-o capsulă ultra miniatură SOT363 (2mm x 2mm). CSH210 şi CSH210R au pierderi de inserţie de 0,3dB şi 0,4dB la 1GHz şi respectiv 2GHz. Izolaţia tipică este mai bună de 24dB până la 1GHz şi mai bună de 20dB până la 2GHz. Ambele comutatoare realizează un P(-1dB) de 30dBm polarizate cu o tensiune de control de +3V.
CSH210P este o versiune de mare putere a CSH210 şi are o capsulă ultra miniature SOT363 (2mm x 2mm). CSH210P are o pierdere de inserţie de 0,35dB şi 0,4dB la 1GHz şi respectiv 2GHz. Izolaţia tipică este mai bună de 25dB până la 1GHz şi mai bună de 22,5dB până la 2GHz. CSH210P realizează un P(-1dB) de 33dBm şi un IP3 de 56dBm cu o tensiune de control de +3V.
www.infineon.com