Cel mai mic bloc de memorie Flash Embedded din industrie

by donpedro

O nouă variantă de memorie Flash a fost lansată de Philips pentru referinţa 0.18-µm – CMOS 18. Permiţând proiectanţilor de ASIC-uri, SoC (System on Chip) şi de controlere embedded să introducă multă memorie Flash într-o suprafaţă de siliciu foarte mică – noua CMOS 18 – FFLC (Fast Flash Low Voltage) răspunde cererilor din industrie în ceea ce priveşte aplicaţiile de stocare a datelor: smart card-uri, echipamente de reţea, produse destinate industriei telecomunicaţiilor.

Noua tehnologie Philips – memoria Flash embedded – 16Mbiţi de memorie Flash pe o suprafaţă de 19mm2 Si

Oferind o densitate de memorie de aproximativ 1Mbit/mm2 de siliciu şi un consum de putere ultra scăzut, CMOS 18 FFLV reprezintă cel mai mic bloc de memorie Flash din industrie. Rezultatul este un chip ieftin şi cu capacităţi de memorie îmbunătăţite.
“Clienţii cer mereu creşterea memoriei Flash din chip pentru a găsi soluţii de cost / suprafaţă mai bune. Plus avantajele logisticii pe linia de producţie în ceea ce priveşte reprogramarea” spune Frans List – Director Departament Embedded Memory la Philps. “Prin creşterea performanţelor privind cantitatea de memorie / suprafaţa de siliciu, consumului de putere, reducerea complexităţii circuitelor perifericelor, etc. suntem în măsură să creăm o memorie Flash de 16Mbiţi pe o suprafaţă de siliciu mai mică de 19mm2”.

Noua celulă de memorie Flash Philips utilizează efectul de străpungere Fowler-Nordheim atât pentru programare cât şi pentru ştergere ducând la un consum foarte scăzut de putere

Consumul mic de putere al noii memorii Flash integrate se datorează inovaţiei celulei de memorie “floating-gate” care utilizează efectul de străpungere Fowler-Nordheim atât pentru programare cât şi pentru ştergere. Acesta elimină curentul mare de alimentare cerut de canalul incandescent de electroni pentru programare (tehnică utilizată în mai toate tehnologiile embedded Flash) şi economiseşte şi o suprafaţă considerabilă de siliciu. Memoria Flash embedded CMOS 18 FFLV lucrează în intervalul de tensiuni 1.2 – 2V făcând-o ideală în aplicaţii alimentate de la baterii.
O versiune EEPROM a memoriei care va oferi ştergerea şi reprogramarea (single-byte) se află în dezvoltare. Pentru o uşoară integrare a memoriei Flash în soluţii SoC bazate pe procesoare ARM (acum liderul procesoarelor cu arhitectură embedded), Philips a proiectat o interfaţă specială pentru CMOS 18 FFLV care simplifică conexiunile cu magistrala ARM. De asemenea, a dezvoltat instrumente specifice care să permită testarea, programarea în sistem şi programarea pe linia de producţie a memoriei printr-o singură interfaţă JTAG.
Standardizarea testelor de interfaţă a ajutat la reducerea timpului a costurilor şi a efortului depus pentru generarea testelor de program e-sort pentru produsele ASIC şi SoC ce utilizează aceste noi memorii integrate.
Dezvoltate ca parte a iniţiativei MEDEA+, CMOS18-FFLV este deja calificată pentru producţie, permiţând chipurilor de memorie Flash embedded să fie livrate până la sfârşitul acestui an. Se are în vedere de asemenea, trecerea către geometria 0.15µm.

www.semiconductors.philips.com
/markets/communications/asics/why/process/cmos/index.html